机译:通过气 - 固 - 固化学气相沉积实现的互补金属氧化物半导体兼容,高迁移率,< 111>取向的Gasb纳米线
机译:金属有机化学气相沉积法生长的高质量In0.28Ga0.72Sb / AlSb / GaSb / GaAs异质结构,用于单通道基于Sb的互补金属氧化物半导体应用
机译:互补金属-氧化物-半导体兼容工艺制造的锗纳米线金属-氧化物-半导体场效应晶体管
机译:互补金属氧化物半导体兼容的硅纳米线生物场效应晶体管作为亲和力生物传感器
机译:金属有机化学气相沉积生长并原子层沉积沉积氧化铝包覆的磷化铟纳米线的研究
机译:固态材料的分子前体:挥发性无水金属硝酸盐作为单源前体分子,用于化学气相沉积金属氧化物薄膜
机译:金属有机化学气相沉积法在InAs茎上自催化生长垂直GaSb纳米线
机译:通过金属有机化学气相沉积法在硅衬底上生长的InAs / GaSb核壳纳米线
机译:金属有机化学气相沉积法在Gasb上生长Gaalassb和alGaassb